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探底中微优势:技术壁垒深厚,有望受益Mini LED
    慧聪LED屏网报道    
 
  半导体设备国产替代浪潮兴起,刻蚀设备迎来发展机遇。全球半导体行情下半年不确定性较大,但国内政策支持力度大,我国半导体市场规模持续上升且国产替代进程加快。当前国内厂商部分产品技术已达到国际先进水平,广证恒生预测,未来三年半导体设备国产替代空间分别为 119、141 以及 245美元。刻蚀是半导体制造三大核心工艺之一,晶圆制造工艺正向 7nm→3nm发展,设备加工步骤增多,刻蚀设备在晶圆制造产线中价值上升。中微半导体刻蚀设备技术节点已达到 5nm,其介质刻蚀设备全球市占率 2.5%,预计 2021年公司刻蚀设备市场规模将达到 14 亿美元。
 
  Mini LED 与 Micro LED 市场潜力巨大,MOCVD 设备需求有望增加。当前全球 LED 行业产能过剩,2019 年 LED 芯片价格预计下降约 16%。2019年是 Mini LED 发展元年,Mini LED 在节能、亮度以及效率方面相比传统LED 优势显著,各大厂商积极布局 Mini LED 应用。此外随着点间距缩小,Mini LED、Micro LED 对灯珠需求成倍增加,这将催生对 MOCVD 设备的需求。中微半导体 MOVCD 设备国内,有望受益于 Mini LED,Micro LED 发展。
 
  中微半导体盈利能力强,募投项目将进一步增强竞争力。公司净利率水平持续上升,2018 年同比提升 2pct。现阶段 MOCVD 设备策略性降价完成后,毛利率水平也有望回升。募集资金中,4 亿用于高端半导体扩展升级,改良原有刻蚀及 MOCVD 设备,4 亿用于技术研发中心建设升级。这将有利公司拓展产品矩阵,冲击国际先进技术水平,提升产品市场份额。
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